Nexperia N-Channel MOSFET, 360 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 BSS138P,215

Код товара RS: 792-0891Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: BSS138P
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

360 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,6 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.9V

Максимальное рассеяние мощности

420 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,72 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 129,00

тг 31,29 Each (On a Reel of 100) (ex VAT)

Nexperia N-Channel MOSFET, 360 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 BSS138P,215
Select packaging type

тг 3 129,00

тг 31,29 Each (On a Reel of 100) (ex VAT)

Nexperia N-Channel MOSFET, 360 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 BSS138P,215
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Катушка
100 - 200тг 31,29тг 3 129,00
300 - 400тг 26,82тг 2 682,00
500 - 900тг 22,35тг 2 235,00
1000 - 2900тг 17,88тг 1 788,00
3000+тг 17,88тг 1 788,00

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

360 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,6 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.9V

Максимальное рассеяние мощности

420 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,72 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors