Nexperia BSS138BKW,115 MOSFET

Код товара RS: 792-0897PБренд: NexperiaПарт-номер производителя: BSS138BKW
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Nexperia

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

320 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-323

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,6 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.6V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.48V

Максимальное рассеяние мощности

310 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,6 нКл при 4,5 В

Материал транзистора

Кремний

Ширина

1.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1мм

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Nexperia BSS138BKW,115 MOSFET
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 50.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 50.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

50

Доступно в кратности 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

P.O.A.

Nexperia BSS138BKW,115 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 50.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 50.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

50

Доступно в кратности 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Nexperia

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

320 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-323

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,6 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.6V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.48V

Максимальное рассеяние мощности

310 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,6 нКл при 4,5 В

Материал транзистора

Кремний

Ширина

1.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1мм

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors