Nexperia N-Channel MOSFET, 360 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 BSS138BK,215

Код товара RS: 792-0894Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: BSS138BK,215
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

360 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,6 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.6V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.48V

Максимальное рассеяние мощности

420 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,6 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor 2V7002KT1G MOSFET
P.O.A.Each (On a Reel of 3000) (ex VAT)

тг 894,00

тг 17,88 Each (On a Reel of 50) (ex VAT)

Nexperia N-Channel MOSFET, 360 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 BSS138BK,215
Select packaging type

тг 894,00

тг 17,88 Each (On a Reel of 50) (ex VAT)

Nexperia N-Channel MOSFET, 360 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 BSS138BK,215

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Катушка
50 - 50тг 17,88тг 894,00
100 - 200тг 17,88тг 894,00
250 - 450тг 17,88тг 894,00
500 - 5950тг 13,41тг 670,50
6000+тг 13,41тг 670,50
Вас может заинтересовать
ON Semiconductor 2V7002KT1G MOSFET
P.O.A.Each (On a Reel of 3000) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

360 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,6 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.6V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.48V

Максимальное рассеяние мощности

420 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,6 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor 2V7002KT1G MOSFET
P.O.A.Each (On a Reel of 3000) (ex VAT)