Nexperia N-Channel MOSFET, 150 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 BSS123,215
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
150 мА
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
6 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.8V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
3мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Ширина
1.4мм
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, over 100A, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
тг 3 129,00
тг 31,29 Each (On a Reel of 100) (ex VAT)
Стандартная упаковка
100
тг 3 129,00
тг 31,29 Each (On a Reel of 100) (ex VAT)
Стандартная упаковка
100
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Катушка |
|---|---|---|
| 100 - 200 | тг 31,29 | тг 3 129,00 |
| 300 - 400 | тг 22,35 | тг 2 235,00 |
| 500 - 900 | тг 17,88 | тг 1 788,00 |
| 1000 - 2900 | тг 17,88 | тг 1 788,00 |
| 3000+ | тг 13,41 | тг 1 341,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
150 мА
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
6 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.8V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
3мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Ширина
1.4мм
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре