P-Channel MOSFET, 225 mA, 200 V, 3-Pin SOT-223 Nexperia BSP220,115
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
225 мА
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
12 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.8V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.8V
Максимальное рассеяние мощности
1,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.7мм
Ширина
3.7мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
1.7мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
тг 2 235,00
тг 223,50 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 2 235,00
тг 223,50 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 10 - 40 | тг 223,50 | тг 2 235,00 |
| 50 - 90 | тг 192,21 | тг 1 922,10 |
| 100 - 190 | тг 169,86 | тг 1 698,60 |
| 200 - 490 | тг 169,86 | тг 1 698,60 |
| 500+ | тг 125,16 | тг 1 251,60 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
225 мА
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
12 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.8V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.8V
Максимальное рассеяние мощности
1,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.7мм
Ширина
3.7мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
1.7мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре