Nexperia P-Channel MOSFET, 470 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23 BSH203,215

Код товара RS: 725-8366PБренд: NexperiaПарт-номер производителя: BSH203,215
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

470 мА

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

900 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

0.68V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

417 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

2,2 нКл при 4,5 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3мм

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Nexperia P-Channel MOSFET, 470 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23 BSH203,215
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Nexperia P-Channel MOSFET, 470 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23 BSH203,215

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

470 мА

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

900 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

0.68V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

417 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

2,2 нКл при 4,5 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3мм

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors