Nexperia 2N7002P,215 MOSFET

Код товара RS: 103-8114Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: 2N7002P,215
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

360 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,6 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.4V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.1V

Максимальное рассеяние мощности

420 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,6 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Вас может заинтересовать
Nexperia N-Channel MOSFET, 360 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 2N7002P,215
тг 17,88Each (On a Reel of 150) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Nexperia 2N7002P,215 MOSFET

P.O.A.

Nexperia 2N7002P,215 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Вас может заинтересовать
Nexperia N-Channel MOSFET, 360 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 2N7002P,215
тг 17,88Each (On a Reel of 150) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

360 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,6 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.4V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.1V

Максимальное рассеяние мощности

420 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,6 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Вас может заинтересовать
Nexperia N-Channel MOSFET, 360 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 2N7002P,215
тг 17,88Each (On a Reel of 150) (ex VAT)