Nexperia N-Channel MOSFET, 310 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 2N7002BKW,115

Код товара RS: 781-6704Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: 2N7002BKW,115
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

310 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-323

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.1V

Максимальное рассеяние мощности

330 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

1.35мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

2.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,5 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

тг 4 470,00

тг 22,35 Each (In a Pack of 200) (ex VAT)

Nexperia N-Channel MOSFET, 310 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 2N7002BKW,115
Select packaging type

тг 4 470,00

тг 22,35 Each (In a Pack of 200) (ex VAT)

Nexperia N-Channel MOSFET, 310 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 2N7002BKW,115

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
200 - 200тг 22,35тг 4 470,00
400 - 400тг 22,35тг 4 470,00
600 - 800тг 22,35тг 4 470,00
1000 - 2800тг 17,88тг 3 576,00
3000+тг 17,88тг 3 576,00

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

310 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-323

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.1V

Максимальное рассеяние мощности

330 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

1.35мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

2.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,5 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors