Техническая документация
Характеристики
Brand
MicronОбъем памяти
1 Gbyte
Тип интерфейса
Параллельный
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
56
Организация
12М x 8 бит, 64М x 16 бит
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип ячейки
ИЛИ-НЕ
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Блочная организация
Симметричный
Длина
18.4мм
Высота
1мм
Ширина
14мм
Размеры
18.4 x 14 x 1мм
Максимальное время произвольного доступа
110нс
Количество слов
128M, 64M
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Количество бит на слово
8/16бит
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Flash Memory, Micron
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
1 - 14 | P.O.A. |
15 - 104 | P.O.A. |
105 - 239 | P.O.A. |
240 - 494 | P.O.A. |
495+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
MicronОбъем памяти
1 Gbyte
Тип интерфейса
Параллельный
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
56
Организация
12М x 8 бит, 64М x 16 бит
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип ячейки
ИЛИ-НЕ
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Блочная организация
Симметричный
Длина
18.4мм
Высота
1мм
Ширина
14мм
Размеры
18.4 x 14 x 1мм
Максимальное время произвольного доступа
110нс
Количество слов
128M, 64M
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Количество бит на слово
8/16бит
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Flash Memory, Micron
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.