Microchip LND150N8-G MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
MicrochipТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
30 mA
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Тип корпуса
TO-243AA
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
1 кΩ
Номер канала
Опускание
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
1,6 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
2.6мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
4.6мм
Высота
1.6мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors
The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.
MOSFET Transistors, Microchip
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2000
P.O.A.
2000
Техническая документация
Характеристики
Brand
MicrochipТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
30 mA
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Тип корпуса
TO-243AA
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
1 кΩ
Номер канала
Опускание
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
1,6 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
2.6мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
4.6мм
Высота
1.6мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors
The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.