Microchip N-Channel MOSFET, 30 mA, 500 V Depletion, 4-Pin TO-243AA LND150N8-G

Код товара RS: 829-3253Бренд: MicrochipПарт-номер производителя: LND150N8-G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

30 mA

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Тип корпуса

TO-243AA

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

1 кΩ

Номер канала

Опускание

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

1,6 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

2.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

4.6мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors

The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.

MOSFET Transistors, Microchip

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 4 559,40

тг 227,97 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Microchip N-Channel MOSFET, 30 mA, 500 V Depletion, 4-Pin TO-243AA LND150N8-G
Select packaging type

тг 4 559,40

тг 227,97 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Microchip N-Channel MOSFET, 30 mA, 500 V Depletion, 4-Pin TO-243AA LND150N8-G
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
20 - 40тг 227,97тг 4 559,40
60 - 80тг 187,74тг 3 754,80
100+тг 174,33тг 3 486,60

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

30 mA

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Тип корпуса

TO-243AA

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

1 кΩ

Номер канала

Опускание

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

1,6 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

2.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

4.6мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors

The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.

MOSFET Transistors, Microchip