Microchip LND150N3-G MOSFET

Код товара RS: 829-3250PБренд: MicrochipПарт-номер производителя: LND150N3-G
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Microchip

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

30 mA

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Тип корпуса

TO-92

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1 кΩ

Номер канала

Опускание

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

740 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.19мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5.2мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

5.33мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors

The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.

MOSFET Transistors, Microchip

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied in a Bag) (ex VAT)

Microchip LND150N3-G MOSFET
Select packaging type

Производственная упаковка (Сумка)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied in a Bag) (ex VAT)

Microchip LND150N3-G MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Сумка)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Microchip

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

30 mA

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Тип корпуса

TO-92

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1 кΩ

Номер канала

Опускание

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

740 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.19мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5.2мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

5.33мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors

The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.

MOSFET Transistors, Microchip