N-Channel MOSFET, 330 mA, 9 V Depletion, 5-Pin SOT-23 Microchip LND01K1-G

Код товара RS: 912-5259Бренд: MicrochipПарт-номер производителя: LND01K1-G
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Microchip

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

330 мА

Максимальное напряжение сток-исток

9 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

5

Максимальное сопротивление сток-исток

1,4 Ω

Номер канала

Опускание

Максимальное рассеяние мощности

360 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +0,6 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+125 °C

Длина

3.05мм

Ширина

1.75мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-25 °C

Высота

1.3мм

Информация о товаре

LND01 N-Channel MOSFET Transistors

The Microchip LND01 is a low threshold, depletion mode (normally on) MOSFET transistor. The design combines the power handling capabilities of a Bipolar Transistor with the high input impedance and positive temperature coefficient of MOS devices.

MOSFET Transistors, Microchip

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 330 mA, 9 V Depletion, 5-Pin SOT-23 Microchip LND01K1-G
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 330 mA, 9 V Depletion, 5-Pin SOT-23 Microchip LND01K1-G
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Microchip

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

330 мА

Максимальное напряжение сток-исток

9 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

5

Максимальное сопротивление сток-исток

1,4 Ω

Номер канала

Опускание

Максимальное рассеяние мощности

360 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +0,6 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+125 °C

Длина

3.05мм

Ширина

1.75мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-25 °C

Высота

1.3мм

Информация о товаре

LND01 N-Channel MOSFET Transistors

The Microchip LND01 is a low threshold, depletion mode (normally on) MOSFET transistor. The design combines the power handling capabilities of a Bipolar Transistor with the high input impedance and positive temperature coefficient of MOS devices.

MOSFET Transistors, Microchip