Microchip LND01K1-G MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
MicrochipТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
330 мА
Максимальное напряжение сток-исток
9 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
5
Максимальное сопротивление сток-исток
1,4 Ω
Номер канала
Опускание
Максимальное рассеяние мощности
360 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +0,6 В
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
3.05мм
Ширина
1.75мм
Количество элементов на ИС
1
Высота
1.3мм
Минимальная рабочая температура
-25 °C
Информация о товаре
LND01 N-Channel MOSFET Transistors
The Microchip LND01 is a low threshold, depletion mode (normally on) MOSFET transistor. The design combines the power handling capabilities of a Bipolar Transistor with the high input impedance and positive temperature coefficient of MOS devices.
MOSFET Transistors, Microchip
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
MicrochipТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
330 мА
Максимальное напряжение сток-исток
9 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
5
Максимальное сопротивление сток-исток
1,4 Ω
Номер канала
Опускание
Максимальное рассеяние мощности
360 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +0,6 В
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
3.05мм
Ширина
1.75мм
Количество элементов на ИС
1
Высота
1.3мм
Минимальная рабочая температура
-25 °C
Информация о товаре
LND01 N-Channel MOSFET Transistors
The Microchip LND01 is a low threshold, depletion mode (normally on) MOSFET transistor. The design combines the power handling capabilities of a Bipolar Transistor with the high input impedance and positive temperature coefficient of MOS devices.