N-Channel MOSFET, 300 mA, 650 V Depletion, 3-Pin DPAK Microchip DN3765K4-G
Техническая документация
Характеристики
Brand
MicrochipТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
300 мА
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
8 Ω
Номер канала
Опускание
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.2мм
Материал транзистора
Кремний
Ширина
6.73мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
2.39мм
Информация о товаре
Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors
The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.
MOSFET Transistors, Microchip
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 5 - 5 | P.O.A. |
| 10 - 20 | P.O.A. |
| 25 - 95 | P.O.A. |
| 100+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
MicrochipТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
300 мА
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
8 Ω
Номер канала
Опускание
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.2мм
Материал транзистора
Кремний
Ширина
6.73мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
2.39мм
Информация о товаре
Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors
The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.