Microchip DN2625DK6-G MOSFET

Код товара RS: 916-3725Бренд: MicrochipПарт-номер производителя: DN2625DK6-G
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Microchip

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,1 А

Максимальное напряжение сток-исток

250 В

Тип корпуса

DFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

3,5 Ω

Номер канала

Опускание

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

7,04 при 1,5 В

Ширина

5.1мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.85мм

Прямое напряжение диода

1.8V

Информация о товаре

DN2625 N-Channel MOSFET Transistors

The Microchip DN2625 is a low threshold depletion-mode (normally-on) MOSFET transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure. The design combines the power handling capabilities of a Bipolar Transistor with the high input impedance and positive temperature coefficient of MOS devices.

MOSFET Transistors, Microchip

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Microchip DN2625DK6-G MOSFET
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

Microchip DN2625DK6-G MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Microchip

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,1 А

Максимальное напряжение сток-исток

250 В

Тип корпуса

DFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

3,5 Ω

Номер канала

Опускание

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

7,04 при 1,5 В

Ширина

5.1мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.85мм

Прямое напряжение диода

1.8V

Информация о товаре

DN2625 N-Channel MOSFET Transistors

The Microchip DN2625 is a low threshold depletion-mode (normally-on) MOSFET transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure. The design combines the power handling capabilities of a Bipolar Transistor with the high input impedance and positive temperature coefficient of MOS devices.

MOSFET Transistors, Microchip