Техническая документация
Характеристики
Brand
MicrochipТип продукции
Силовой полевой МОП-транзистор (MOSFET)
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
1.1A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
250V
Корпус
DFN
Серия
DN2625
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
3.5Ом
Номер канала
Опускание
Минимальная рабочая температура
150°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
7.04nC
Прямое напряжение (Vf)
1.8V
Максимальная рабочая температура
-55°C
Конфигурация транзистора
Одиночный
Материал каски/сварочной маски
0.85мм
Длина
5.1мм
Стандарты/одобрения
Нет
Количество элементов на ИС
1
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
DN2625 N-Channel MOSFET Transistors
The Microchip DN2625 is a low threshold depletion-mode (normally-on) MOSFET transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure. The design combines the power handling capabilities of a Bipolar Transistor with the high input impedance and positive temperature coefficient of MOS devices.
MOSFET Transistors, Microchip
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Стандартная упаковка
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
MicrochipТип продукции
Силовой полевой МОП-транзистор (MOSFET)
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
1.1A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
250V
Корпус
DFN
Серия
DN2625
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
3.5Ом
Номер канала
Опускание
Минимальная рабочая температура
150°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
7.04nC
Прямое напряжение (Vf)
1.8V
Максимальная рабочая температура
-55°C
Конфигурация транзистора
Одиночный
Материал каски/сварочной маски
0.85мм
Длина
5.1мм
Стандарты/одобрения
Нет
Количество элементов на ИС
1
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
DN2625 N-Channel MOSFET Transistors
The Microchip DN2625 is a low threshold depletion-mode (normally-on) MOSFET transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure. The design combines the power handling capabilities of a Bipolar Transistor with the high input impedance and positive temperature coefficient of MOS devices.
