Microchip DN2540N5-G MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
MicrochipТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
500 мА
Максимальное напряжение сток-исток
400 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
25 Ω
Номер канала
Опускание
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Максимальное рассеяние мощности
15 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
4.826мм
Длина
10.7мм
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
16.51мм
Информация о товаре
Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors
The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.
MOSFET Transistors, Microchip
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
MicrochipТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
500 мА
Максимальное напряжение сток-исток
400 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
25 Ω
Номер канала
Опускание
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Максимальное рассеяние мощности
15 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
4.826мм
Длина
10.7мм
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
16.51мм
Информация о товаре
Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors
The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.