Техническая документация
Характеристики
Brand
MicrochipТип продукции
Параллельное EEPROM
Объем памяти
64kB
Тип интерфейса
Параллельный
Корпус
PLCC
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
32
Организация
8K x 8 bit
Максимальная частота синхронизации
5MHz
Минимальное напряжение питания
4.5V
Максимальная поддерживаемая емкость памяти
5.5V
Количество бит на слово
8
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
85°C
Ширина
15мм
Серия
AT28HC64B
Длина
12.5мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Количество слов
8192
Хранение данных
10year
Ток питания
40mA
Максимальное время произвольного доступа
70ns
Информация о товаре
The Microchip AT28HC64B is a high-performance 64Kbit Parallel EEPROM offering access times to 55ns with power dissipation of 220mW. Deselected, CMOS standby current is less than 100μA. Accessed like static RAM for the read or write cycle without external components, it contains a 64-byte page register to allow writing of up to 64 bytes simultaneously. Optional Software Data Protection mechanism guards against inadvertent writes, and an extra 64 bytes of EEPROM enables device identification or tracking.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
MicrochipТип продукции
Параллельное EEPROM
Объем памяти
64kB
Тип интерфейса
Параллельный
Корпус
PLCC
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
32
Организация
8K x 8 bit
Максимальная частота синхронизации
5MHz
Минимальное напряжение питания
4.5V
Максимальная поддерживаемая емкость памяти
5.5V
Количество бит на слово
8
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
85°C
Ширина
15мм
Серия
AT28HC64B
Длина
12.5мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Количество слов
8192
Хранение данных
10year
Ток питания
40mA
Максимальное время произвольного доступа
70ns
Информация о товаре
The Microchip AT28HC64B is a high-performance 64Kbit Parallel EEPROM offering access times to 55ns with power dissipation of 220mW. Deselected, CMOS standby current is less than 100μA. Accessed like static RAM for the read or write cycle without external components, it contains a 64-byte page register to allow writing of up to 64 bytes simultaneously. Optional Software Data Protection mechanism guards against inadvertent writes, and an extra 64 bytes of EEPROM enables device identification or tracking.