Техническая документация
Характеристики
Brand
MicrochipОбъем памяти
64kB
Тип продукции
Параллельное EEPROM
Тип интерфейса
Параллельный
Корпус
PLCC
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
32
Максимальная частота синхронизации
5MHz
Организация
8K x 8 bit
Минимальное напряжение питания
4.5V
Количество бит на слово
8
Максимальная поддерживаемая емкость памяти
5.5V
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
85°C
Длина
12.5мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
15мм
Серия
AT28HC64B
Хранение данных
10year
Ток питания
40mA
Максимальное время произвольного доступа
70ns
Автомобильный стандарт
Нет
Количество слов
8192
Информация о товаре
The Microchip AT28HC64B is a high-performance 64Kbit Parallel EEPROM offering access times to 55ns with power dissipation of 220mW. Deselected, CMOS standby current is less than 100μA. Accessed like static RAM for the read or write cycle without external components, it contains a 64-byte page register to allow writing of up to 64 bytes simultaneously. Optional Software Data Protection mechanism guards against inadvertent writes, and an extra 64 bytes of EEPROM enables device identification or tracking.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
MicrochipОбъем памяти
64kB
Тип продукции
Параллельное EEPROM
Тип интерфейса
Параллельный
Корпус
PLCC
Тип монтажа
Поверхность
Число контактов
32
Максимальная частота синхронизации
5MHz
Организация
8K x 8 bit
Минимальное напряжение питания
4.5V
Количество бит на слово
8
Максимальная поддерживаемая емкость памяти
5.5V
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
85°C
Длина
12.5мм
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
15мм
Серия
AT28HC64B
Хранение данных
10year
Ток питания
40mA
Максимальное время произвольного доступа
70ns
Автомобильный стандарт
Нет
Количество слов
8192
Информация о товаре
The Microchip AT28HC64B is a high-performance 64Kbit Parallel EEPROM offering access times to 55ns with power dissipation of 220mW. Deselected, CMOS standby current is less than 100μA. Accessed like static RAM for the read or write cycle without external components, it contains a 64-byte page register to allow writing of up to 64 bytes simultaneously. Optional Software Data Protection mechanism guards against inadvertent writes, and an extra 64 bytes of EEPROM enables device identification or tracking.