Microchip Technology 2N7000-G MOSFET

Код товара RS: 177-9588Бренд: MicrochipПарт-номер производителя: 2N7000-G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

200 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

2N7000

Тип корпуса

TO-92

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

5,3 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.8V

Максимальное рассеяние мощности

1 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

30 В

Ширина

4.06мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5.08мм

Высота

5.33мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

0.85V

Страна происхождения

Taiwan, Province Of China

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Microchip Technology 2N7000-G MOSFET

P.O.A.

Microchip Technology 2N7000-G MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

200 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

2N7000

Тип корпуса

TO-92

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

5,3 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.8V

Максимальное рассеяние мощности

1 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

30 В

Ширина

4.06мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5.08мм

Высота

5.33мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

0.85V

Страна происхождения

Taiwan, Province Of China