Microchip Technology 2N7000-G MOSFET

Name: Microchip Technology 2N7000-G MOSFET
Brand: Microchip
SKU: 1779588

Код товара RS: 177-9588Бренд: MicrochipПарт-номер производителя: 2N7000-GDistrelec Article No.: 30301795

Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Microchip

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

200mA

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

60V

Корпус

TO-92

Серия

2N7000

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

5.3Ом

Номер канала

Поднятие

Минимальная рабочая температура

-55°C

Прямое напряжение (Vf)

0.85V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

30 V

Максимальная рабочая температура

150°C

Материал каски/сварочной маски

5.33мм

Длина

5.08мм

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

4.06 mm

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

Taiwan, Province Of China

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Microchip Technology 2N7000-G MOSFET

P.O.A.

Microchip Technology 2N7000-G MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Microchip

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

200mA

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

60V

Корпус

TO-92

Серия

2N7000

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

5.3Ом

Номер канала

Поднятие

Минимальная рабочая температура

-55°C

Прямое напряжение (Vf)

0.85V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

30 V

Максимальная рабочая температура

150°C

Материал каски/сварочной маски

5.33мм

Длина

5.08мм

Стандарты/одобрения

Нет

Ширина

4.06 mm

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

Taiwan, Province Of China