Magnatec BUZ900P MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
MagnatecТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
8 A
Максимальное напряжение сток-исток
160 В
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
125 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-14 В, +14 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
16.26мм
Ширина
2.49мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
21.46мм
Информация о товаре
N-Channel MOSFET Transistors, Semelab
MOSFET Transistors, Semelab
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 24 | P.O.A. |
| 25 - 99 | P.O.A. |
| 100 - 249 | P.O.A. |
| 250 - 499 | P.O.A. |
| 500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
MagnatecТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
8 A
Максимальное напряжение сток-исток
160 В
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
125 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-14 В, +14 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
16.26мм
Ширина
2.49мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
21.46мм
Информация о товаре