Техническая документация
Характеристики
Brand
MagnaChipТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
11 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
TO-220F
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
360 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
31 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.71мм
Типичный заряд затвора при Vgs
28 нКл при 10 В
Ширина
4.93мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
16.13мм
Прямое напряжение диода
1.4V
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Super Junction (SJ) MOSFET
These MOSFET use MagnaChip's Super Junction technology to provide low on-resistance and gate charge. They are highly efficient through the use of optimised charge coupling technology.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
5 - 20 | P.O.A. |
25 - 45 | P.O.A. |
50 - 145 | P.O.A. |
150 - 245 | P.O.A. |
250+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
MagnaChipТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
11 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
TO-220F
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
360 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
31 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.71мм
Типичный заряд затвора при Vgs
28 нКл при 10 В
Ширина
4.93мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
16.13мм
Прямое напряжение диода
1.4V
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Super Junction (SJ) MOSFET
These MOSFET use MagnaChip's Super Junction technology to provide low on-resistance and gate charge. They are highly efficient through the use of optimised charge coupling technology.