N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V, 3-Pin TO-220F MagnaChip MMF60R360PTH

Код товара RS: 871-5038Бренд: MagnaChipПарт-номер производителя: MMF60R360PTH
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

11 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

TO-220F

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

360 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

31 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.71мм

Типичный заряд затвора при Vgs

28 нКл при 10 В

Ширина

4.93мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

16.13мм

Прямое напряжение диода

1.4V

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Super Junction (SJ) MOSFET

These MOSFET use MagnaChip's Super Junction technology to provide low on-resistance and gate charge. They are highly efficient through the use of optimised charge coupling technology.

MOSFET Transistors, MagnaChip

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V, 3-Pin TO-220F MagnaChip MMF60R360PTH
Select packaging type

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V, 3-Pin TO-220F MagnaChip MMF60R360PTH
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
5 - 20P.O.A.
25 - 45P.O.A.
50 - 145P.O.A.
150 - 245P.O.A.
250+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

11 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

TO-220F

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

360 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

31 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.71мм

Типичный заряд затвора при Vgs

28 нКл при 10 В

Ширина

4.93мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

16.13мм

Прямое напряжение диода

1.4V

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Super Junction (SJ) MOSFET

These MOSFET use MagnaChip's Super Junction technology to provide low on-resistance and gate charge. They are highly efficient through the use of optimised charge coupling technology.

MOSFET Transistors, MagnaChip