Техническая документация
Характеристики
Brand
MagnaChipТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
94 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
PowerDFN56
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
6,2 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.7V
Максимальное рассеяние мощности
65,7 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
5.1мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
28,8 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.1V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.
MOSFET Transistors, MagnaChip
тг 2 458,50
тг 98,34 Each (On a Reel of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 2 458,50
тг 98,34 Each (On a Reel of 25) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Катушка |
|---|---|---|
| 25 - 100 | тг 98,34 | тг 2 458,50 |
| 125 - 225 | тг 98,34 | тг 2 458,50 |
| 250 - 475 | тг 93,87 | тг 2 346,75 |
| 500 - 2975 | тг 93,87 | тг 2 346,75 |
| 3000+ | тг 93,87 | тг 2 346,75 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
MagnaChipТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
94 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
PowerDFN56
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
6,2 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.7V
Максимальное рассеяние мощности
65,7 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
5.1мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
28,8 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.1V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.
