MagnaChip N-Channel MOSFET, 94 A, 30 V, 8-Pin PowerDFN56 MDU1518URH

Код товара RS: 871-5025Бренд: MagnaChipПарт-номер производителя: MDU1518URH
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

94 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

PowerDFN56

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

6,2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.7V

Максимальное рассеяние мощности

65,7 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.1мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

28,8 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Low Voltage (LV) MOSFET

These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.

MOSFET Transistors, MagnaChip

тг 2 458,50

тг 98,34 Each (On a Reel of 25) (ex VAT)

MagnaChip N-Channel MOSFET, 94 A, 30 V, 8-Pin PowerDFN56 MDU1518URH
Select packaging type

тг 2 458,50

тг 98,34 Each (On a Reel of 25) (ex VAT)

MagnaChip N-Channel MOSFET, 94 A, 30 V, 8-Pin PowerDFN56 MDU1518URH

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Катушка
25 - 100тг 98,34тг 2 458,50
125 - 225тг 98,34тг 2 458,50
250 - 475тг 93,87тг 2 346,75
500 - 2975тг 93,87тг 2 346,75
3000+тг 93,87тг 2 346,75

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

94 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

PowerDFN56

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

6,2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.7V

Максимальное рассеяние мощности

65,7 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.1мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

28,8 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Low Voltage (LV) MOSFET

These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.

MOSFET Transistors, MagnaChip