N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PowerDFN56 MagnaChip MDU1512RH
Техническая документация
Характеристики
Brand
MagnaChipТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
PowerDFN56
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.7V
Максимальное рассеяние мощности
69,4 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
35,3 нКл при 10 В
Ширина
5.1мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.1V
Высота
1.1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 25 - 100 | P.O.A. |
| 125 - 225 | P.O.A. |
| 250 - 475 | P.O.A. |
| 500 - 2975 | P.O.A. |
| 3000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
MagnaChipТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
PowerDFN56
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.7V
Максимальное рассеяние мощности
69,4 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
35,3 нКл при 10 В
Ширина
5.1мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.1V
Высота
1.1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.