Техническая документация
Характеристики
Brand
MagnaChipТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
7,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
35 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
11,7 нКл при 10 В
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
0.75V
Высота
1.5мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
25 - 100 | P.O.A. |
125 - 225 | P.O.A. |
250 - 475 | P.O.A. |
500 - 2975 | P.O.A. |
3000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
MagnaChipТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
7,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
35 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
11,7 нКл при 10 В
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
0.75V
Высота
1.5мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.