N-Channel MOSFET, 13.1 A, 30 V, 8-Pin SOIC MagnaChip MDS1527URH

Код товара RS: 871-4980Бренд: MagnaChipПарт-номер производителя: MDS1527URH
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

MagnaChip

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

13.1 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

23,7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.7V

Максимальное рассеяние мощности

4,8 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

4.9мм

Типичный заряд затвора при Vgs

7,8 нКл при 10 В

Ширина

3.9мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Высота

1.5мм

Страна происхождения

Korea, Republic Of

Информация о товаре

Low Voltage (LV) MOSFET

These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.

MOSFET Transistors, MagnaChip

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 13.1 A, 30 V, 8-Pin SOIC MagnaChip MDS1527URH
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 13.1 A, 30 V, 8-Pin SOIC MagnaChip MDS1527URH
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
25 - 100P.O.A.
125 - 225P.O.A.
250 - 475P.O.A.
500 - 2975P.O.A.
3000+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

MagnaChip

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

13.1 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

23,7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.7V

Максимальное рассеяние мощности

4,8 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

4.9мм

Типичный заряд затвора при Vgs

7,8 нКл при 10 В

Ширина

3.9мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Высота

1.5мм

Страна происхождения

Korea, Republic Of

Информация о товаре

Low Voltage (LV) MOSFET

These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.

MOSFET Transistors, MagnaChip