N-Channel MOSFET, 13.1 A, 30 V, 8-Pin SOIC MagnaChip MDS1527URH

Код товара RS: 871-4980Бренд: MagnaChipПарт-номер производителя: MDS1527URH
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

13.1 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

23,7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.7V

Максимальное рассеяние мощности

4,8 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

4.9мм

Типичный заряд затвора при Vgs

7,8 нКл при 10 В

Ширина

3.9мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Высота

1.5мм

Страна происхождения

Korea, Republic Of

Информация о товаре

Low Voltage (LV) MOSFET

These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.

MOSFET Transistors, MagnaChip

тг 2 123,25

тг 84,93 Each (On a Reel of 25) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 13.1 A, 30 V, 8-Pin SOIC MagnaChip MDS1527URH
Select packaging type

тг 2 123,25

тг 84,93 Each (On a Reel of 25) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 13.1 A, 30 V, 8-Pin SOIC MagnaChip MDS1527URH

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Катушка
25 - 100тг 84,93тг 2 123,25
125 - 225тг 84,93тг 2 123,25
250 - 475тг 80,46тг 2 011,50
500 - 2975тг 80,46тг 2 011,50
3000+тг 80,46тг 2 011,50

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

13.1 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

23,7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.7V

Максимальное рассеяние мощности

4,8 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

4.9мм

Типичный заряд затвора при Vgs

7,8 нКл при 10 В

Ширина

3.9мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Высота

1.5мм

Страна происхождения

Korea, Republic Of

Информация о товаре

Low Voltage (LV) MOSFET

These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.

MOSFET Transistors, MagnaChip