N-Channel MOSFET, 18 A, 500 V, 3-Pin TO-220 MagnaChip MDP18N50BTH
Техническая документация
Характеристики
Brand
MagnaChipТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
18 A
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
270 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
236 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.67мм
Типичный заряд затвора при Vgs
48 нКл при 10 В
Ширина
4.83мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Прямое напряжение диода
1.4V
Высота
16.51мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
High Voltage (HV) MOSFET
High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 5 - 20 | P.O.A. |
| 25 - 45 | P.O.A. |
| 50 - 145 | P.O.A. |
| 150 - 345 | P.O.A. |
| 350+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
MagnaChipТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
18 A
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
270 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
236 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.67мм
Типичный заряд затвора при Vgs
48 нКл при 10 В
Ширина
4.83мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Прямое напряжение диода
1.4V
Высота
16.51мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
High Voltage (HV) MOSFET
High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.