N-Channel MOSFET, 11 A, 660 V, 3-Pin TO-220 MagnaChip MDP11N60TH

Код товара RS: 871-4940Бренд: MagnaChipПарт-номер производителя: MDP11N60TH
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

MagnaChip

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

11 A

Максимальное напряжение сток-исток

660 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

550 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

182 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

38,4 нКл при 10 В

Ширина

4.83мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.4V

Высота

16.51мм

Страна происхождения

Korea, Republic Of

Информация о товаре

High Voltage (HV) MOSFET

High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.

MOSFET Transistors, MagnaChip

тг 3 173,70

тг 317,37 Each (In a Tube of 10) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 11 A, 660 V, 3-Pin TO-220 MagnaChip MDP11N60TH
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 3 173,70
20тг 6 347,40
30тг 9 521,10
40тг 12 694,80
50тг 14 527,50
60тг 17 433,00
70тг 20 338,50
80тг 23 244,00
90тг 26 149,50
100тг 26 820,00
110тг 29 502,00
120тг 32 184,00
130тг 34 866,00
140тг 37 548,00
150тг 40 230,00

тг 3 173,70

тг 317,37 Each (In a Tube of 10) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 11 A, 660 V, 3-Pin TO-220 MagnaChip MDP11N60TH

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 3 173,70
20тг 6 347,40
30тг 9 521,10
40тг 12 694,80
50тг 14 527,50
60тг 17 433,00
70тг 20 338,50
80тг 23 244,00
90тг 26 149,50
100тг 26 820,00
110тг 29 502,00
120тг 32 184,00
130тг 34 866,00
140тг 37 548,00
150тг 40 230,00

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Труба
10 - 40тг 317,37тг 3 173,70
50 - 90тг 290,55тг 2 905,50
100 - 290тг 268,20тг 2 682,00
300 - 490тг 250,32тг 2 503,20
500+тг 232,44тг 2 324,40

Техническая документация

Характеристики

Brand

MagnaChip

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

11 A

Максимальное напряжение сток-исток

660 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

550 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

182 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

38,4 нКл при 10 В

Ширина

4.83мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.4V

Высота

16.51мм

Страна происхождения

Korea, Republic Of

Информация о товаре

High Voltage (HV) MOSFET

High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.

MOSFET Transistors, MagnaChip