N-Channel MOSFET, 7 A, 650 V, 3-Pin TO-220F MagnaChip MDF7N65BTH
Техническая документация
Характеристики
Brand
MagnaChipТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
7 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Тип корпуса
TO-220F
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,35 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
42 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.71мм
Типичный заряд затвора при Vgs
18,4 нКл при 10 В
Ширина
4.93мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.4V
Высота
16.13мм
Страна происхождения
China
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 10 - 40 | P.O.A. |
| 50 - 90 | P.O.A. |
| 100 - 290 | P.O.A. |
| 300 - 590 | P.O.A. |
| 600+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
MagnaChipТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
7 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Тип корпуса
TO-220F
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,35 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
42 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.71мм
Типичный заряд затвора при Vgs
18,4 нКл при 10 В
Ширина
4.93мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.4V
Высота
16.13мм
Страна происхождения
China