N-Channel MOSFET, 11 A, 660 V, 3-Pin TO-220F MagnaChip MDF11N60BTH

Код товара RS: 871-4915Бренд: MagnaChipПарт-номер производителя: MDF11N60BTH
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

MagnaChip

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

11 A

Максимальное напряжение сток-исток

660 В

Тип корпуса

TO-220F

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

550 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

49 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.71мм

Типичный заряд затвора при Vgs

38,4 нКл при 10 В

Ширина

4.93мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Прямое напряжение диода

1.4V

Высота

16.13мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

High Voltage (HV) MOSFET

High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.

MOSFET Transistors, MagnaChip

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 317,37

Each (In a Tube of 10) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 11 A, 660 V, 3-Pin TO-220F MagnaChip MDF11N60BTH
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 3 173,70
20тг 6 347,40
30тг 9 521,10
40тг 12 694,80
50тг 14 527,50
60тг 17 433,00
70тг 20 338,50
80тг 23 244,00
90тг 26 149,50
100тг 26 820,00
110тг 29 502,00
120тг 32 184,00
130тг 34 866,00
140тг 37 548,00
150тг 40 230,00

тг 317,37

Each (In a Tube of 10) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 11 A, 660 V, 3-Pin TO-220F MagnaChip MDF11N60BTH
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 3 173,70
20тг 6 347,40
30тг 9 521,10
40тг 12 694,80
50тг 14 527,50
60тг 17 433,00
70тг 20 338,50
80тг 23 244,00
90тг 26 149,50
100тг 26 820,00
110тг 29 502,00
120тг 32 184,00
130тг 34 866,00
140тг 37 548,00
150тг 40 230,00

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Труба
10 - 40тг 317,37тг 3 173,70
50 - 90тг 290,55тг 2 905,50
100 - 290тг 268,20тг 2 682,00
300 - 590тг 250,32тг 2 503,20
600+тг 232,44тг 2 324,40

Техническая документация

Характеристики

Brand

MagnaChip

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

11 A

Максимальное напряжение сток-исток

660 В

Тип корпуса

TO-220F

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

550 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

49 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.71мм

Типичный заряд затвора при Vgs

38,4 нКл при 10 В

Ширина

4.93мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Прямое напряжение диода

1.4V

Высота

16.13мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

High Voltage (HV) MOSFET

High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.

MOSFET Transistors, MagnaChip