N-Channel MOSFET, 2.8 A, 500 V, 3-Pin DPAK MagnaChip MDD3N50GRH
Техническая документация
Характеристики
Brand
MagnaChipТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
2,8 А
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Максимальное рассеяние мощности
45 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
6,75 нКл при 10 В
Ширина
6.22мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.4V
Высота
2.39мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
High Voltage (HV) MOSFET
High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 50 - 200 | P.O.A. |
| 250 - 450 | P.O.A. |
| 500 - 1200 | P.O.A. |
| 1250+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
MagnaChipТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
2,8 А
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Максимальное рассеяние мощности
45 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
6,75 нКл при 10 В
Ширина
6.22мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.4V
Высота
2.39мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
High Voltage (HV) MOSFET
High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.