N-Channel MOSFET, 67 A, 30 V, 3-Pin DPAK MagnaChip MDD1501RH
Техническая документация
Характеристики
Brand
MagnaChipТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
67 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
8,6 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.7V
Максимальное рассеяние мощности
44,6 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
20,7 нКл при 10 В
Ширина
6.22мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.1V
Высота
2.39мм
Страна происхождения
Korea, Republic Of
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 25 - 100 | P.O.A. |
| 125 - 225 | P.O.A. |
| 250 - 475 | P.O.A. |
| 500 - 2975 | P.O.A. |
| 3000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
MagnaChipТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
67 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
8,6 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.7V
Максимальное рассеяние мощности
44,6 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
20,7 нКл при 10 В
Ширина
6.22мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.1V
Высота
2.39мм
Страна происхождения
Korea, Republic Of