IXYS MMIX1F520N075T2 MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

500 A

Максимальное напряжение сток-исток

75 В

Тип корпуса

SMPD

Серия

GigaMOS, HiperFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

24

Максимальное сопротивление сток-исток

1,6 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

830 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

25.25мм

Типичный заряд затвора при Vgs

545 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

23.25мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.25V

Высота

5.7мм