IXYS IXTP50N20P MOSFET

Код товара RS: 193-420PБренд: IXYSПарт-номер производителя: IXTP50N20P
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

50 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

HiperFET, Polar

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

60 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5.5V

Максимальное рассеяние мощности

360 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.66мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

70 нКл при 10 В

Ширина

4.83мм

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Вас может заинтересовать
N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V, 3-Pin TO-220 Infineon IPP200N15N3 G
N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V, 3-Pin TO-220 Infineon IPP200N15N3 GБренд: Infineon
P.O.A.Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

IXYS IXTP50N20P MOSFET
Select packaging type

Производственная упаковка (Труба)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

IXYS IXTP50N20P MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Труба)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Вас может заинтересовать
N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V, 3-Pin TO-220 Infineon IPP200N15N3 G
N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V, 3-Pin TO-220 Infineon IPP200N15N3 GБренд: Infineon
P.O.A.Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

50 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

HiperFET, Polar

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

60 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5.5V

Максимальное рассеяние мощности

360 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.66мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

70 нКл при 10 В

Ширина

4.83мм

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Вас может заинтересовать
N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V, 3-Pin TO-220 Infineon IPP200N15N3 G
N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V, 3-Pin TO-220 Infineon IPP200N15N3 GБренд: Infineon
P.O.A.Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)