IXYS Linear L2 N-Channel MOSFET, 178 A, 100 V, 4-Pin SOT-227 IXTN200N10L2

Код товара RS: 168-4584Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXTN200N10L2
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

178 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

SOT-227

Серия

Linear L2

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

11 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

830 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

25.07мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

38.23мм

Типичный заряд затвора при Vgs

540 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Высота

9.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.4V

Страна происхождения

Philippines

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear Series

N-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area (FBSOA) for increased ruggedness and reliability.

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

P.O.A.

IXYS Linear L2 N-Channel MOSFET, 178 A, 100 V, 4-Pin SOT-227 IXTN200N10L2

1

Доступно в кратности 10
1P.O.A.
11P.O.A.
21P.O.A.
31P.O.A.
41P.O.A.
51P.O.A.
61P.O.A.
71P.O.A.
81P.O.A.
91P.O.A.
101P.O.A.
111P.O.A.
121P.O.A.
131P.O.A.
141P.O.A.

P.O.A.

IXYS Linear L2 N-Channel MOSFET, 178 A, 100 V, 4-Pin SOT-227 IXTN200N10L2

Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 10
1P.O.A.
11P.O.A.
21P.O.A.
31P.O.A.
41P.O.A.
51P.O.A.
61P.O.A.
71P.O.A.
81P.O.A.
91P.O.A.
101P.O.A.
111P.O.A.
121P.O.A.
131P.O.A.
141P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

178 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

SOT-227

Серия

Linear L2

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

11 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

830 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

25.07мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

38.23мм

Типичный заряд затвора при Vgs

540 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Высота

9.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.4V

Страна происхождения

Philippines

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear Series

N-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area (FBSOA) for increased ruggedness and reliability.

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS