IXYS IXTH48N65X2 MOSFET

Код товара RS: 168-4810Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXTH48N65X2
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

48A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

650V

Корпус

TO-247

Серия

X2-Class

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

65mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

660W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

30 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

76nC

Прямое напряжение (Vf)

1.4V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

21.34 mm

Материал каски/сварочной маски

5.21мм

Длина

16.13мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

United States

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS X2-Class Series

The IXYS X2 class Power MOSFET series offers significantly reduced on resistance and gate charge when compared to earlier generations of power MOSFETs resulting in reduced losses and higher operational efficiency. These rugged devices incorporate an intrinsic diode and are suitable for both hard switching and resonant mode applications. X2 class Power MOSFETs are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 120A at 650V. Typical applications include DC-DC converters, AC and DC motor drives, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, Solar inverters, temperature and lighting control.

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

IXYS IXTH48N65X2 MOSFET

1

Доступно в кратности 30
1P.O.A.
31P.O.A.
61P.O.A.
91P.O.A.
121P.O.A.
151P.O.A.
181P.O.A.
211P.O.A.
241P.O.A.
271P.O.A.
301P.O.A.
331P.O.A.
361P.O.A.
391P.O.A.
421P.O.A.

P.O.A.

IXYS IXTH48N65X2 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 30
1P.O.A.
31P.O.A.
61P.O.A.
91P.O.A.
121P.O.A.
151P.O.A.
181P.O.A.
211P.O.A.
241P.O.A.
271P.O.A.
301P.O.A.
331P.O.A.
361P.O.A.
391P.O.A.
421P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип продукции

МОП-транзистор

Тип канала

Тип N

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

48A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

650V

Корпус

TO-247

Серия

X2-Class

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

65mΩ

Номер канала

Поднятие

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

660W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

30 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

76nC

Прямое напряжение (Vf)

1.4V

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

21.34 mm

Материал каски/сварочной маски

5.21мм

Длина

16.13мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

United States

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS X2-Class Series

The IXYS X2 class Power MOSFET series offers significantly reduced on resistance and gate charge when compared to earlier generations of power MOSFETs resulting in reduced losses and higher operational efficiency. These rugged devices incorporate an intrinsic diode and are suitable for both hard switching and resonant mode applications. X2 class Power MOSFETs are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 120A at 650V. Typical applications include DC-DC converters, AC and DC motor drives, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, Solar inverters, temperature and lighting control.

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS