IXYS IXGH30N120B3D1 IGBT
Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSМаксимальный непрерывный ток коллектора
50 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 4 | P.O.A. |
| 5 - 19 | P.O.A. |
| 20 - 49 | P.O.A. |
| 50 - 99 | P.O.A. |
| 100+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSМаксимальный непрерывный ток коллектора
50 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.