IXYS IXGT30N120B3D1 IGBT
Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSМаксимальный непрерывный ток коллектора
50 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Тип корпуса
TO-268
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Длина
16.05мм
Ширина
14мм
Высота
5.1мм
Размеры
16.05 x 14 x 5.1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
тг 3 053,01
тг 3 053,01 Each (ex VAT)
1
тг 3 053,01
тг 3 053,01 Each (ex VAT)
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 4 | тг 3 053,01 |
| 5 - 19 | тг 2 990,43 |
| 20 - 49 | тг 2 570,25 |
| 50 - 99 | тг 2 521,08 |
| 100+ | тг 2 127,72 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSМаксимальный непрерывный ток коллектора
50 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Тип корпуса
TO-268
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Длина
16.05мм
Ширина
14мм
Высота
5.1мм
Размеры
16.05 x 14 x 5.1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.