IXYS IXFP7N80P MOSFET

Код товара RS: 194-136Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXFP7N80P
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

Тип N

Тип продукции

МОП-транзистор

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

7A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

800V

Корпус

TO-220

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

1.44Ом

Номер канала

Поднятие

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

32nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

200W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

30 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

150°C

Стандарты/одобрения

Нет

Длина

10.66мм

Ширина

4.83 mm

Материал каски/сварочной маски

9.15мм

Автомобильный стандарт

Нет

Distrelec Product Id

304-29-647

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 7 107,30

тг 1 421,46 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

IXYS IXFP7N80P MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 7 107,30
10тг 14 214,60
15тг 21 321,90
20тг 28 429,20
25тг 28 272,75
30тг 33 927,30
35тг 39 581,85
40тг 45 236,40
45тг 50 890,95
50тг 56 545,50
55тг 62 200,05
60тг 67 854,60
65тг 73 509,15
70тг 79 163,70
75тг 84 818,25

тг 7 107,30

тг 1 421,46 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

IXYS IXFP7N80P MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 7 107,30
10тг 14 214,60
15тг 21 321,90
20тг 28 429,20
25тг 28 272,75
30тг 33 927,30
35тг 39 581,85
40тг 45 236,40
45тг 50 890,95
50тг 56 545,50
55тг 62 200,05
60тг 67 854,60
65тг 73 509,15
70тг 79 163,70
75тг 84 818,25

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 1 421,46тг 7 107,30
25 - 95тг 1 130,91тг 5 654,55
100 - 245тг 938,70тг 4 693,50
250 - 495тг 916,35тг 4 581,75
500+тг 844,83тг 4 224,15

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

Тип N

Тип продукции

МОП-транзистор

Максимальный непрерывный ток стока (Id)

7A

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

800V

Корпус

TO-220

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

1.44Ом

Номер канала

Поднятие

Прямое напряжение (Vf)

1.5V

Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs

32nC

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

200W

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

30 V

Минимальная рабочая температура

-55°C

Максимальная рабочая температура

150°C

Стандарты/одобрения

Нет

Длина

10.66мм

Ширина

4.83 mm

Материал каски/сварочной маски

9.15мм

Автомобильный стандарт

Нет

Distrelec Product Id

304-29-647

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS