Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
7 A
Максимальное напряжение сток-исток
800 В
Серия
HiperFET, Polar
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1.44 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Максимальное рассеяние мощности
200 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
4.83мм
Длина
10.66мм
Типичный заряд затвора при Vgs
32 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Высота
9.15мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
7 A
Максимальное напряжение сток-исток
800 В
Серия
HiperFET, Polar
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1.44 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Максимальное рассеяние мощности
200 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
4.83мм
Длина
10.66мм
Типичный заряд затвора при Vgs
32 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Высота
9.15мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS