IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 7 A, 800 V, 3-Pin TO-220 IXFP7N80P

Код товара RS: 168-4486Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXFP7N80P
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

7 A

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Серия

HiperFET, Polar

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1.44 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

200 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

4.83мм

Длина

10.66мм

Типичный заряд затвора при Vgs

32 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 7 A, 800 V, 3-Pin TO-220 IXFP7N80P

P.O.A.

IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 7 A, 800 V, 3-Pin TO-220 IXFP7N80P
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

7 A

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Серия

HiperFET, Polar

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1.44 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

200 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

4.83мм

Длина

10.66мм

Типичный заряд затвора при Vgs

32 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS