IXYS IXFP7N80P MOSFET

Код товара RS: 194-136Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXFP7N80P
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

7 A

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

HiperFET, Polar

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1.44 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

200 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.66мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

32 нКл при 10 В

Ширина

4.83мм

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 7 107,30

тг 1 421,46 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

IXYS IXFP7N80P MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 7 107,30
10тг 14 214,60
15тг 21 321,90
20тг 28 429,20
25тг 28 272,75
30тг 33 927,30
35тг 39 581,85
40тг 45 236,40
45тг 50 890,95
50тг 56 545,50
55тг 62 200,05
60тг 67 854,60
65тг 73 509,15
70тг 79 163,70
75тг 84 818,25

тг 7 107,30

тг 1 421,46 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

IXYS IXFP7N80P MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 7 107,30
10тг 14 214,60
15тг 21 321,90
20тг 28 429,20
25тг 28 272,75
30тг 33 927,30
35тг 39 581,85
40тг 45 236,40
45тг 50 890,95
50тг 56 545,50
55тг 62 200,05
60тг 67 854,60
65тг 73 509,15
70тг 79 163,70
75тг 84 818,25

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 1 421,46тг 7 107,30
25 - 95тг 1 130,91тг 5 654,55
100 - 245тг 938,70тг 4 693,50
250 - 495тг 916,35тг 4 581,75
500+тг 844,83тг 4 224,15

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

7 A

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

HiperFET, Polar

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1.44 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

200 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.66мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

32 нКл при 10 В

Ширина

4.83мм

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS