IXYS IXFP10N80P MOSFET

Код товара RS: 194-057Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXFP10N80P
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

10 A

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

HiperFET, Polar

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,1 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5.5V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.66мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

40 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Ширина

4.83мм

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 658,37

тг 1 658,37 Each (ex VAT)

IXYS IXFP10N80P MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 658,37
2тг 3 316,74
3тг 4 975,11
4тг 6 633,48
5тг 6 637,95
6тг 7 965,54
7тг 9 293,13
8тг 10 620,72
9тг 11 948,31
10тг 13 275,90
11тг 14 603,49
12тг 15 931,08
13тг 17 258,67
14тг 18 586,26
15тг 19 913,85

тг 1 658,37

тг 1 658,37 Each (ex VAT)

IXYS IXFP10N80P MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 658,37
2тг 3 316,74
3тг 4 975,11
4тг 6 633,48
5тг 6 637,95
6тг 7 965,54
7тг 9 293,13
8тг 10 620,72
9тг 11 948,31
10тг 13 275,90
11тг 14 603,49
12тг 15 931,08
13тг 17 258,67
14тг 18 586,26
15тг 19 913,85

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 4тг 1 658,37
5 - 19тг 1 327,59
20 - 49тг 1 157,73
50 - 99тг 1 032,57
100+тг 961,05

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

10 A

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

HiperFET, Polar

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,1 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5.5V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.66мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

40 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Ширина

4.83мм

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS