IXYS IXFN82N60P MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
72 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
SOT-227
Серия
HiperFET, Polar
Тип монтажа
Винтовой монтаж
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
75 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Максимальное рассеяние мощности
1,04 кВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
38.2мм
Ширина
25.07мм
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
240 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
9.6мм
Информация о товаре
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 4 | P.O.A. |
| 5 - 9 | P.O.A. |
| 10 - 19 | P.O.A. |
| 20 - 49 | P.O.A. |
| 50+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
72 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
SOT-227
Серия
HiperFET, Polar
Тип монтажа
Винтовой монтаж
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
75 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Максимальное рассеяние мощности
1,04 кВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
38.2мм
Ширина
25.07мм
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
240 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
9.6мм
Информация о товаре
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS