IXYS IXFN80N50P MOSFET

Код товара RS: 194-029Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXFN80N50PDistrelec Article No.: 30253378
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

66 A

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Серия

HiperFET, Polar

Тип корпуса

SOT-227

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

65 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

700 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

38.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

195 нКл при 10 В

Ширина

25.07мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.6мм

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Вас может заинтересовать
IXYS IXFN64N50P MOSFET
IXYS IXFN64N50P MOSFETБренд: IXYS
тг 8 385,72Each (ex VAT)

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 10 035,15

тг 10 035,15 Each (ex VAT)

IXYS IXFN80N50P MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 10 035,15
2тг 20 070,30
3тг 30 105,45
4тг 40 140,60
5тг 49 192,35
6тг 59 030,82
7тг 68 869,29
8тг 78 707,76
9тг 88 546,23
10тг 98 384,70
11тг 108 223,17
12тг 118 061,64
13тг 127 900,11
14тг 137 738,58
15тг 147 577,05

тг 10 035,15

тг 10 035,15 Each (ex VAT)

IXYS IXFN80N50P MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 10 035,15
2тг 20 070,30
3тг 30 105,45
4тг 40 140,60
5тг 49 192,35
6тг 59 030,82
7тг 68 869,29
8тг 78 707,76
9тг 88 546,23
10тг 98 384,70
11тг 108 223,17
12тг 118 061,64
13тг 127 900,11
14тг 137 738,58
15тг 147 577,05

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
1 - 4тг 10 035,15
5 - 19тг 9 838,47
20 - 49тг 8 354,43
50 - 99тг 8 193,51
100+тг 7 697,34
Вас может заинтересовать
IXYS IXFN64N50P MOSFET
IXYS IXFN64N50P MOSFETБренд: IXYS
тг 8 385,72Each (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

66 A

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Серия

HiperFET, Polar

Тип корпуса

SOT-227

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

65 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

700 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

38.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

195 нКл при 10 В

Ширина

25.07мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.6мм

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Вас может заинтересовать
IXYS IXFN64N50P MOSFET
IXYS IXFN64N50P MOSFETБренд: IXYS
тг 8 385,72Each (ex VAT)