IXYS IXFN48N60P MOSFET

Код товара RS: 194-473Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXFN48N60P
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

40 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

SOT-227

Серия

HiperFET, Polar

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

140 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5.5V

Максимальное рассеяние мощности

625 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

150 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

38.23мм

Ширина

25.42мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

9.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

IXYS IXFN48N60P MOSFET
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

IXYS IXFN48N60P MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
1 - 4P.O.A.
5 - 19P.O.A.
20 - 49P.O.A.
50 - 99P.O.A.
100+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

40 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

SOT-227

Серия

HiperFET, Polar

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

140 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5.5V

Максимальное рассеяние мощности

625 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

150 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

38.23мм

Ширина

25.42мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

9.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS