IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 40 A, 600 V, 4-Pin SOT-227 IXFN48N60P

Код товара RS: 920-0767Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXFN48N60P
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

40 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

HiperFET, Polar

Тип корпуса

SOT-227

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

140 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5.5V

Максимальное рассеяние мощности

625 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

25.42мм

Материал транзистора

Кремний

Длина

38.23мм

Типичный заряд затвора при Vgs

150 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

1

Высота

9.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 40 A, 600 V, 4-Pin SOT-227 IXFN48N60P

P.O.A.

IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 40 A, 600 V, 4-Pin SOT-227 IXFN48N60P
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

40 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

HiperFET, Polar

Тип корпуса

SOT-227

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

140 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5.5V

Максимальное рассеяние мощности

625 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

25.42мм

Материал транзистора

Кремний

Длина

38.23мм

Типичный заряд затвора при Vgs

150 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

1

Высота

9.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS