IXYS IXFN44N100P MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
37 A
Максимальное напряжение сток-исток
1000 В
Тип корпуса
SOT-227B
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
220 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
6.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Максимальное рассеяние мощности
890 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Ширина
25.07мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
38.23мм
Типичный заряд затвора при Vgs
305 нКл при 10 В
Высота
9.6мм
Серия
Polar HiPerFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.5V
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
37 A
Максимальное напряжение сток-исток
1000 В
Тип корпуса
SOT-227B
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
220 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
6.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Максимальное рассеяние мощности
890 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Ширина
25.07мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
38.23мм
Типичный заряд затвора при Vgs
305 нКл при 10 В
Высота
9.6мм
Серия
Polar HiPerFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.5V
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS