IXYS IXFN210N30P3 MOSFET

Код товара RS: 177-5342Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXFN210N30P3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

192 A

Максимальное напряжение сток-исток

300 В

Серия

HiperFET, Polar3

Тип корпуса

SOT-227

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

14,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

1,5 kW

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

25.07мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

38.23мм

Типичный заряд затвора при Vgs

268 нКл при 10 В

Высота

9.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series

A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

IXYS IXFN210N30P3 MOSFET

P.O.A.

IXYS IXFN210N30P3 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

192 A

Максимальное напряжение сток-исток

300 В

Серия

HiperFET, Polar3

Тип корпуса

SOT-227

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

14,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

1,5 kW

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

25.07мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

38.23мм

Типичный заряд затвора при Vgs

268 нКл при 10 В

Высота

9.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series

A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS