IXYS HiperFET N-Channel MOSFET, 145 A, 650 V, 4-Pin SOT-227 IXFN150N65X2

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

145 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

HiperFET

Тип корпуса

SOT-227

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

17 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Максимальное рассеяние мощности

1,04 кВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±30 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

25.07мм

Длина

38.23мм

Типичный заряд затвора при Vgs

335 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.4V

Высота

9.6мм